勇攀1995年获国家杰出青年基金资助。

面向于应用，高峰高压需将其转移至介电衬底上，此过程操作复杂且容易引起污染、破损等问题。图四、平高调节系统压力和改变碳前驱物实现NPSS上满层石墨烯的生长（a）常压体系下NPSS表面气体流速的二维仿真模拟。

通过仿真模拟，集团作者发现在NPSS的凹三角锥处（r-面）的气体流速比平面处（c-面）低近两个数量级。开关跨（e-f）在c-面和r-面蓝宝石表面上的CH3和CH2物种的结合能和扩散能垒。在随后的紫外发光二极管（UV-LED）应用中，产业程作者发现图案化的石墨烯可以实现AlN的选择性成核，产业程从而保障了成核取向的一致性，并促进AlN的快速横向外延生长（ELOG），从而得到低位错密度的单晶AlN薄膜。

展征（c）在NPSS上生长的图案化石墨烯的SEM图像。勇攀（c）在图案化石墨烯/NPSS上生长的AlN薄膜的TEM暗场图像。

在碳源前驱物的充足供应和相对较高的催化活性的共同作用下，高峰高压使得石墨烯可以在NPSS的c-面处选择性生长,获得图案化石墨烯。

（f）变电流下，平高图案化石墨烯/NPSS上制备的UV-LED的归一化电致发光光谱。发表学术论文560余篇，集团申请中国发明专利100余项。

而且，开关跨具有广阔带电荷3D网络的聚电解质凝胶可以充当离子扩散促进剂，从而大大提高界面传输效率。文献链接：产业程https://doi.org/10.1002/anie.2020045102、产业程JACS:多晶有机纳米晶中的光致发光各向异性中科院化学研究所姚建年院士团队成功地从铂（II）-β-二酮酸酯络合物制备了两个多晶型纳米晶体PtD-g和PtD-y。

现任北京石墨烯研究院院长、展征北京大学纳米科学与技术研究中心主任。勇攀2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。